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是什么造就了真空斷路器的發展

  目前市場上,真空斷路器的發展變得越來越快,那么是什么因素造成了真空斷路器迅速發展的原因呢?其一是真空滅弧室技術的進步;二是操動機構技術的進步。真空滅弧室是真空斷路器的心臟。真空滅弧室的進步主要表現在如觸頭材料從CuBi轉變成CuCr,提高了開端能力,降低了截流值,同時磁場從橫磁場轉向縱磁場,減少了觸頭的燒損。在工藝上,一次排封工藝的采用,使得提高了滅弧室性能及可靠性。
  操動機構被稱之為真空斷路器的神經中樞,原先用電磁機構,后來出現了彈簧機構,又出現了永磁機構。彈簧機構結構復雜,零件數多(多達200個),加工精度要求高,且彈簧機構的出力特性與真空斷路器的負載特性不相匹配,要在凸輪輪廓曲線和連桿結構上進行合理設計。永磁機構的機械結構特別簡單,零部件比任何其他機構都要少,運動部件可以減少至一個,因而機械可靠性特別高,而且永磁機構的出力特性能與真空斷路器的負載特性很好的匹配。永磁機構用永磁鎖扣,電容器(或直流屏供電)儲能,用電子控制。永磁機構特別適用于頻繁操作,如可達6萬~15萬次。
  真空斷路器的發展勢不可擋,其市場的前景也是非常樂觀的,要保持真空斷路器的發展趨勢,技術的創新是不能夠停止的。

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