真空斷路器的發展因素
真空斷路器的發展很快,究其原因,固然有很多,但是基本的卻只有兩條:一是真空滅弧室技術的進步;二是操動機構技術的進步。真空滅弧室是真空斷路器的心臟。真空滅弧室的進步主要表現在如觸頭材料從CuBi轉變成CuCr,提高了開端能力,降低了截流值,同時磁場從橫磁場轉向縱磁場,減少了觸頭的燒損。在工藝上,一次排封工藝的采用,使得提高了滅弧室性能及可靠性。
操動機構被稱之為真空斷路器的神經中樞,原先用電磁機構,后來出現了彈簧機構,又出現了永磁機構。彈簧機構結構復雜,零件數多(多達200個),加工精度要求高,且彈簧機構的出力特性與真空斷路器的負載特性不相匹配,要在凸輪輪廓曲線和連桿結構上進行合理設計。永磁機構的機械結構特別簡單,零部件比任何其他機構都要少,運動部件可以減少至一個,因而機械可靠性特別高,而且永磁機構的出力特性能與真空斷路器的負載特性很好的匹配。永磁機構用永磁鎖扣,電容器(或直流屏供電)儲能,用電子控制。永磁機構特別適用于頻繁操作,如可達6萬~15萬次